Micron et Intel dévoilent la nouvelle mémoire Flash NAND 3D

Ces avancées technologiques offrent une capacité trois fois supérieure  à celle des autres technologies NAND

INFORMATIONS PRINCIPALES

• La technologie NAND 3D utilise des cellules à grille flottante, et permet une densité encore jamais vue dans les mémoires flash existantes, avec une capacité trois fois supérieure¹ à celle des autres NAND actuellement en production.

• Elle permet la production de SSD de la taille d’une tablette de chewing gum, dotées d’une mémoire de plus 3,5 téraoctets (To), et des SSD standard 2,5 pouces de plus de 10 To.

• Cette architecture innovante permet d’étendre la loi de Moore pour les stockages flash, et apporte des avancées significatives en termes de densité tout en réduisant les coûts.

Eléments multimédia :
•    Kit média – Micron / Intel

BOISE, Idaho et SANTA CLARA, Californie, 26 mars 2015 – Micron Technology, Inc. (Nasdaq : MU) et Intel Corporation ont annoncé aujourd’hui la disponibilité de leur nouvelle technologie NAND 3D, qui constitue la mémoire flash la plus dense du monde. Les mémoires flash sont la technologie de stockage utilisée dans les ordinateurs portables les plus légers, les centres de données les plus rapides, et presque tous les téléphones portables, tablettes et équipement mobile dans le monde.

Cette nouvelle technologie NAND 3D, qui a été développée conjointement par Intel et Micron, accumule verticalement  les couches de stockage avec une précision extraordinaire, pour créer des équipements d’une capacité trois supérieure1 à celle des technologies NAND concurrentes. Elle assure un stockage supérieur dans un espace plus réduit, permettant des économies significatives en termes de coût et de consommation énergétique, et une performance supérieure pour les équipements mobiles généralistes comme pour les déploiements en entreprise.

La technologie de mémoire flash NAND planaire est en train d’atteindre ses limites d’échelle, ce qui pose un défi considérable à l’industrie. La technologie NAND 3D va créer un impact majeur, en garantissant une croissance stable des capacités de stockage flash dans le cadre de la loi de Moore. Cette trajectoire d’augmentation de la performance et de réduction des coûts va permettre la massification de l’usage des stockages flash.

« La collaboration d’Intel et de Micron a permis de créer une technologie de stockage SSD qui offre une performance et une efficacité sans équivalent sur le marché actuel » déclare Brian Shirley, vice-président chargé des technologies et solutions de mémoire, Micron Technology. « Cette technologie NAND 3D a le potentiel nécessaire pour changer véritablement la donne sur le marché. L’impact majeur des mémoires flash dans des domaines comme les smartphones ou l’informatique de haute performance ne constitue qu’un début. »

« Les efforts de développement conjoints d’Intel avec Micron reflètent notre engagement continu à offrir des technologies innovantes en termes de mémoire non-volatile  » déclare Rob Crooke, vice-président et directeur général, Non-Volatile Memory Solutions Group, Intel Corporation. « L’amélioration significative de la densité et la réduction importante des coûts que permet la technologie NAND 3D va permettre d’accélérer l’intégration des SSD aux plateformes informatiques. »

Une architecture innovante
L’un des aspects les plus importants de cette technologie se situe dans la cellule fondamentale elle-même. Intel et Micron ont choisi d’utiliser une cellule à grille flottante, un concept régulièrement utilisé dans la fabrication de mémoire flash planaires, et raffiné au cours des années. C’est la première fois qu’une cellule à grille flottante est utilisée dans une NAND 3D. Ce choix de design permet d’offrir une performance supérieure, et d’améliorer la qualité et la fiabilité globales.

La nouvelle technologie NAND 3D accumule verticalement les cellules flash sur 32 couches, pour atteindre une cellule multiniveau (MLC) de 256 Go, et une cellule triple-niveau (TLC) 384 Go dans un format standard. Ces capacités permettent la création de SSD de la taille d’une tablette de chewing gum permettant de plus de 3,5 To de stockage, ainsi que de SSD 2,5 pouces standards de plus de 10 To. Puisque la capacité est atteinte par l’accumulation verticale les cellules, les dimensions de chaque cellule individuelle peuvent être considérablement augmentées, renforçant la performance et l’endurance. Ainsi, même les modèles TLC restent parfaitement adaptés à une utilisation au sein des centres de données.

Les fonctionnalités clés des NAND 3D incluent :

• Grandes capacités  – Capacité triplée par rapport aux technologies 3D existantes1 – avec jusqu’à 48 Go de NAND par die – permettant le stockage de trois-quarts de téraoctets dans un format tenant sur le bout d’un doigt.

• Coût par gigaoctet réduit – Les NAND 3D première génération sont conçues pour offrir une meilleure efficacité de coût que les NAND planaires.

• Rapide – Bande passante lecture/écriture, vitesses I/O et performance de lecture aléatoire ultra rapides.

• Ecologique – Les nouveaux modes de veille permettent une consommation énergétique très basse, en coupant l’alimentation des die NAND inactifs (même quand d’autres die sont actifs), pour réduire la consommation de façon significative.

• Intelligent – De nouvelle fonctionnalités innovantes réduisent la latence, et augmentent l’endurance par rapport aux générations précédentes, simplifiant l’intégration au sein des systèmes.

Des échantillons de la version MLC 256 Go de la mémoire NAND 3D sont actuellement fournis à certains partenaires. Des échantillons du modèle TLC 384 Go seront disponibles dans le courant du printemps. Les premiers essais de production ont déjà débuté, et les deux modèles seront en production complète d’ici quatrième trimestre de cette année. Les deux entreprises développent également des lignes de solutions SSD basées sur la technologie NAND 3D. Ces produits devraient être disponibles au cours de l’année prochaine.